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1SS165中文资料

  • 大小:440.21KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:Maximum Ratings and Thermal Characteristics (Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.) Symbol Value Unit Reverse Voltage V R 10 V Average Rectified Current I o 15 mA Power Dissipation P D 150 mW Junction Temperature T J 100 °C Storage temperature range T stg -55 to + 100 °C Note: (1) Valid provided that leads at a distance of 4mm from case are kept at ambient temperature. (T J = 25°C unless otherwise noted) Symbol Min Typ Max Unit V R = 10 V - - 10 μA V R = 2 V - - 0.2 μA I F = 1 mA 365 - 430 mV I F = 10 mA 520 - 600 mV Diode Capacitance Cd V R = 0V, f = 1MHz - - 1.0 pF V F I F = 10 mA - - ±5 mV Reverse Current I R Forward Voltage Deviation Forward Voltage V F Test Condition Low forward voltage High breakdown voltage Low diode capacitance. Features ! ! ! 0.079(2.0) MAX 0.020(0.52) TYP 0.165 (4.2) MAX 1.0 2(26.0) MIN. 1.0 2(26.0) MIN. DO-35(GLASS) Dimensions in millimeters 1SS165 SCHOTTKY BARRIER DIODES Electrical Characteristics Mechanical Data

1SS165供应商

更新时间:2022-12-31 17:10:06
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